현지시간 9일부터 13일까지 美 텍사스주 프리스코에서 열린 ‘2023국제전자소자학회(IEDM)’에서 인텔이 미래 반도체 공정 로드맵을 지원할 획기적인 트랜지스터 확장 기술 및 연구개발(R&D) 성과를 발표했으며, 이로써 “무어의 법칙을 이어간다”고 밝혔다.이날 인텔 연구진은 후면 전력 공급 기술과 후면 직접 접촉 기술을 적용한 3D 적층형 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)의 진전을 공개했다. 또한, 후면 전력 공급을 위한 최근의 R&D 혁신을 확장하는 후면 접촉 기술은 최초로 실리콘 트랜지스터와 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 패
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